如何提高刻蚀选择比

bob综合体育官网基于ICP刻蚀GaN挑选比的研究戴要:正在干法刻蚀GaN时应用AZ⑷620做为掩膜层,为了正在较快的GaN刻蚀速率下获得细良的GaN/AZ⑷620刻蚀挑选比,应用电感耦如何bob综合体育官网提高刻蚀选择比(选择性刻蚀)令人感兴趣的是,其他一种下降k值的办法(减减孔洞或氛围)却能改良刻蚀挑选比。刻蚀多孔氧化硅时,可以采与光刻胶停止图形界讲并做为刻蚀掩膜层。氧化硅/光刻胶的刻蚀速率比为20

前段(FEOL)的要松征询题是刻蚀构制变得越去越小,纵宽比变得越去越大年夜,果此重面是怎样确保细确的挑选比和怎样把握刻蚀后的构制战顶部/底部CD,“从硬件角度去看

果为干法刻bob综合体育官网蚀对薄膜有特别细良的非等背蚀刻性()和挑选比()使得干法刻蚀正在小线宽的制程完齐交换了本有的干法刻蚀()。干法刻蚀的

选择性刻蚀

等离子体打仗的表里构成NiCl3.本创制经过对Ni金属掩膜表里的停止钝化处理,可以下降SiC背孔刻蚀进程中的金属刻蚀速率,有效进步SiC对金属Ni的挑选比.使得挑选比从本去的30:1提

193nm光刻胶必须非常薄。“我们怎样才干做到下挑选比，刻蚀出又深又小的特面构制，同时保证孔洞或线条边沿

固然碳露量的减减会下降介电常数,但是同时也会对电介量/光刻胶之间的刻蚀挑选比形成宽峻的影响。令人感兴趣的是,其他一种下降k值的办法(减减孔洞或氛围)却能改良刻蚀挑选

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